10.3969/j.issn.1672-8785.2007.01.005
HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(下)
介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTe MIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤.研究表明,自身阳极硫化+单层ZnS对HgCdTe的表面钝化已经达到光伏焦平面器件表面钝化的各项要求.
HgCdTe、MIS器件、表面钝化、界面电学特性
28
O4(物理学)
2007-03-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
17-20
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10.3969/j.issn.1672-8785.2007.01.005
HgCdTe、MIS器件、表面钝化、界面电学特性
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O4(物理学)
2007-03-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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