10.3969/j.issn.1672-8785.2006.12.002
HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(上)
介绍了HgCdTe MIS器件的制备及由其C--V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤.利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导了衬底杂质浓度随深度分布的计算公式.
HgCdTe、MIS器件、表面钝化、界面电学特性
27
O4(物理学)
2007-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
4-9
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10.3969/j.issn.1672-8785.2006.12.002
HgCdTe、MIS器件、表面钝化、界面电学特性
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O4(物理学)
2007-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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