HgCdTe薄膜材料缺陷的研究现状

摘要：

HgCdTe外延薄膜材料中的缺陷是制约高性能红外焦平面器件发展的主要因素.对缺陷的研究与评价是材料生长以至器件制备过程中不可或缺的重要一环.本文详细介绍了HgCdTe外延材料中几种主要缺陷的研究进展.

关键词：HgCdTe、外延、缺陷、器件

所属期刊栏目：27

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：27-32