氢化非晶硅薄膜的性能研究

摘要：

本文研究了PECVD系统沉积薄膜及其特性.通过椭偏仪测出了薄膜的膜厚,采用电子薄膜应力分布测试仪分析了薄膜应力,并运用四探针装置研究了电阻率、方阻、TCR及它们之间的相互关系.结果表明,所沉积的薄膜覆形特性好、沉积速度快,沉积速率达到了31.89nm/min,另外,它还具有低应力、高TCR的特点;当薄膜电阻率处在一定的范围内时,通过数据分析,电阻率与TCR之间几乎成线性关系.

关键词：PECVD、α-Si:H、工艺参数、应力、TCR

所属期刊栏目：27

分类号：O484.4(固体物理学)

在线出版日期：2006-07-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：25-28