10.3969/j.issn.1672-8785.2006.06.006
氢化非晶硅薄膜的性能研究
本文研究了PECVD系统沉积薄膜及其特性.通过椭偏仪测出了薄膜的膜厚,采用电子薄膜应力分布测试仪分析了薄膜应力,并运用四探针装置研究了电阻率、方阻、TCR及它们之间的相互关系.结果表明,所沉积的薄膜覆形特性好、沉积速度快,沉积速率达到了31.89nm/min,另外,它还具有低应力、高TCR的特点;当薄膜电阻率处在一定的范围内时,通过数据分析,电阻率与TCR之间几乎成线性关系.
PECVD、α-Si:H、工艺参数、应力、TCR
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O484.4(固体物理学)
2006-07-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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