10.3969/j.issn.1672-8785.2006.05.002
AlGaN MSM紫外探测器
用通过MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器.器件在2.5V偏压时的暗电流为1pA,在6.5V偏压时的暗电流为1nA.在1V偏压下和298nm波长处,探测器的电流响应率为0.038A/W,在300nm波长处有陡峭的截止边,这与文献中介绍的AlxGa1-xN探测器在x=0.3时截止波长为300nm相一致[1].
MSM、暗电流、响应率、光谱响应
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TN3(半导体技术)
2006-06-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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