热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响

摘要：

本文论述了HgCdTe光伏探测器的I-V特性和暗电流机制,讨论了离子注入后退火、钝化后烘烤、倒焊互联后退火等热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响.

关键词：HgCdTe光伏探测器、退火、烘烤

所属期刊栏目：27

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2006-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：21-25