10.3969/j.issn.1672-8785.2005.09.006
辐照对硅光电二极管可靠性影响的研究
本文介绍了辐照对硅光电二极管的辐射效应和损伤机制.比较了γ射线、电子、质子、中子以及重离子辐照后,光电二极管各项特性参数的变化.根据辐照对半导体的作用原理,解释不同辐照引起的变化规律.寻求抗辐射加固方法,改善光电二极管的抗辐射性能.
辐照、光电二极管、抗辐射加固
TN3(半导体技术)
2005-10-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
25-31
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10.3969/j.issn.1672-8785.2005.09.006
辐照、光电二极管、抗辐射加固
TN3(半导体技术)
2005-10-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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