在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe

摘要：

在当前大规模红外焦平面器件的研制中,高性能器件的制备需要高质量、大面积、组分均匀的碲镉汞材料.衬底和外延材料的晶格失配导致了大量的位错增殖,严重影响红外焦平面器件的工作性能.本文对各种衬底进行了比较,并对Si基和Ge基上的外延碲镉汞材料的生长工艺及性能进行了调研和评价.

关键词：分子束外延、Si衬底、Ge衬底、CdTe、HgCdTe、晶向、晶格失配

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2005-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：19-24,48