掺杂GaAs/AlGaAs超晶格的激发态向受主中心跃迁的发光

摘要：

在室温下测量了GaAs/Al0.28Ga0.72As超晶格的光致发光,发现在波长λ=764nm处存在一较强的发光峰.理论分析表明,此峰是量子阱阱口附近能级上的电子与受主杂质上的空穴复合发光.实验还观测到在λ=824nm和829nm处分别存在一发光峰.分析表明,λ=829nm和λ=824nm处的发光峰分别为激子发光和量子阱中基态电子与基态重空穴的复合发光;理论计算值与实验结果符合得很好.

关键词：GaAs/AlGaAs、超晶格、光致发光

分类号：TN21(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2005-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：17-20