为红外激光器生长高质量的InAs量子点

摘要：

@@ 美国喷气推进实验室最近研究出了一种用于生长高质量InAs量子点的改进型方法.用这种改进型方法制作的InAs/InGaAs/InP量子点半导体激光器,能够在室温下在≥1.8μm波长上工作.而以前报道的基于InP衬底的InAs量子点激光器却只能在77K的低温下在1.9μm波长上工作.

机标关键词：红外激光器、质量、量子点激光器、喷气推进实验室、改进型、半导体激光器、方法、波长、室温下、制作、美国、衬底

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2005-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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