AlGaN/GaN MSM紫外探测器特性

摘要：

在蓝宝石衬底上,用金属有机物气相沉积(MOCVD)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触.随着退火时间的增加,金属-半导体金属(MSM)结构的I V特性曲线保持良好的对称性,但C V曲线逐渐失去其对称性.MSM探测器的紫外响应曲线具有良好的对比度和选择性,出现明显的光电导增益效应.

关键词：AlGaN/GaN MSM、肖特基、紫外响应曲线

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2005-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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