10.3969/j.issn.1672-8785.2005.04.008
基于HgCdTe的新一代红外探测器
近十年来,基于HgCdTe的致冷型甚高性能红外探测器技术不断取得进步,今天已达到成熟的工业水平,这使得人们能以越来越合理的成本生产出可用规格(320×240元,640×480元)的探测器列阵.与此同时,更为复杂的(百万元列阵、多光谱列阵和高清晰度线阵等)传感器样品也相继出现,这说明这种高性能的探测器技术具有巨大的潜力可挖.本文介绍法国研究的红外探测器技术,并给出已投入工业生产的相关产品的工艺状况,然后重点介绍法国信息技术和电子技术实验室(LETI)最近研制的先进样品(双色列阵、百万元列阵等)的性能.从这些样品上测得的性能已接近理论所预计的极限值.
红外探测器、探测器列阵、信息技术、高性能、样品、相关产品、工业生产、工艺状况、工业水平、高清晰度、法国、电子技术、实验室、极限值、多光谱、传感器、致冷、线阵、双色、潜力
TN2(光电子技术、激光技术)
2005-06-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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