用CMOS工艺方法制作的低成本非致冷红外探测器(下)

摘要：

@@ 二极管型探测器的直流响应率由下式给出:R=η/Gth(-dVD/dT-IbiasRconnectαconnect/2)(8)式中,η为吸收系数,Gth为热导率,dVD/dT为二极管正向电压的温度系数,Ibias为直流偏置电流,Rconnect和αconnect分别为互连电阻和互连电阻的温度系数值.与电阻型探测器的情况相似,括号中的项表示探测器电压的有效温度系数,最后一项的分母中有一个倍数2以便把沿支撑臂上互连电阻的温度梯度效应也考虑进去.

机标关键词：工艺方法、制作、成本、非致冷、温度系数、互连电阻、探测器、二极管、直流、正向电压、吸收系数、梯度效应、偏置电流、支撑臂、响应率、系数值、热导率、电阻型、管型、分母

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2005-03-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：44-47