10.3969/j.issn.1672-8785.2005.01.004
半导体工艺中的新型刻蚀技术--ICP
本文详细介绍了电导耦合等离子体(ICP-Inductive Coupled Plasma)刻蚀技术的基本原理及相关工艺设备机构.根据近年来国内外ICP技术的发展现状和发展趋势,对其在光电子器件、半导体氧化物、Ⅲ-Ⅴ族化合物等方面的应用作了一些简要介绍.
ICP、等离子体、蚀刻
TN3(半导体技术)
2005-03-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
17-22
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10.3969/j.issn.1672-8785.2005.01.004
ICP、等离子体、蚀刻
TN3(半导体技术)
2005-03-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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