Ⅲ族氮化物材料制备

摘要：

Ⅲ族氮化物材料是继Si和GaAs后又一类重要的半导体材料.本文主要介绍了用几种外延技术制备GaN材料的方法,并介绍了一种与GaN晶格匹配的新型衬底材料.

关键词：外延、GaN材料、晶格匹配

分类号：TQ12

在线出版日期：2004-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：24-27