10.3969/j.issn.1672-8785.2004.05.001
GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器及其I-V特性的研究
本文简单介绍了GaInAsSb/GaSb PIN探测器的结构及工作原理,重点分析了生长窗口层和硫钝化两种不同的改善探测器I-V反向偏软的特性的方法.
GaInAsSb/GaSb、红外探测器、I-V特性
TN2(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金60176011
2004-06-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
1-4
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10.3969/j.issn.1672-8785.2004.05.001
GaInAsSb/GaSb、红外探测器、I-V特性
TN2(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金60176011
2004-06-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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