显微喇曼光谱用于对SOI材料局域应力表征

摘要：

本文从喇曼光谱原理、实验方法和实验手段上阐述显微喇曼在测试SOI材料局部应力中的应用,详细综述了显微喇曼光谱对各种不同SOI材料的喇曼分析.通常来说,局部内应力会引起喇曼峰的宽化以及峰位的移动,压应力会使喇曼峰向高频方向移动,而张应力却是向低频方向移动.详细分析喇曼峰的移动情况可以分析材料内部的应力分布情况.由于显微喇曼能提供小于1μm空间分辨率,同时分析时无需对材料进行破坏,因而是一种实用性很强的分析手段.

关键词：喇曼光谱、SOI、应力

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2004-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：24-30