10.3969/j.issn.1672-8785.2004.02.007
远红外探测技术的进展
用分子束外延(MBE)方法生长了Ⅱ-Ⅵ族本征甚长波红外(VLWIR,λc约为20μm~50μm)材料--HgCdTe合金和HgCdTe/CdTe超晶格.用X射线衍射、常规傅里叶变换光谱学、霍尔效应测量技术和透射电子显微技术(TEM)对外延层进行了表征.为了验证这些材料在甚长波红外谱区的适用性,用这些材料制成了光导器件并测得了它们的光谱响应.
远红外、HgCdTe、分子速外延Ⅱ-Ⅵ族超晶格、探测器、列阵
TN21(光电子技术、激光技术)
2004-03-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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