基底温度对ITO薄膜红外发射特性的影响

摘要：

本文采用射频磁控溅射法制备ITO薄膜,该薄膜具有较低的红外发射率.利用紫外-可见-近红外分光光度计、红外发射率测量仪、四探针测试仪研究了溅射过程中基底温度对ITO薄膜红外特性和光电性能的影响,并且用AFM对ITO薄膜的表面形貌进行了表征.实验发现,随着基底温度的升高,薄膜的表面颗粒增大,透过率、方块电阻、平均红外发射率均会降低.本文还讨论了8μm～14μm波段平均红外发射率与方块电阻之间的关系.

关键词：ITO薄膜、基底温度、透过率、方块电阻、红外发射率

分类号：TN21(光电子技术、激光技术)

资助基金：教育部留学回国人员科研启动基金

在线出版日期：2004-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：21-24