Ⅲ族氮化物材料

摘要：

@@ 1Ⅲ族氮化物半导体的研究意义
关于Ⅲ族氮化物的研究并不是最近才开始的.由于晶体生长工艺的改进,Ⅲ族氮化物的研究才有了长足的发展.自然界不存在天然的Ⅲ族氮化物晶体,为了制备高质量的单晶,目前普遍采用外延法生长.外延法主要有分子束外延(MBE)、金属有机化学汽相沉积(MOCVD)、氢化物汽相外延(HVPE)等.有了高质量的单晶薄膜,才使相应材料特性的研究及器件的制备成为可能,同时人们对Ⅲ族氮化物也有了进一步的认识.Ⅲ族氮化物优良的特性也越来越引起人们的兴趣.

机标关键词：Ⅲ族氮化物、金属有机化学汽相沉积、外延法、晶体生长工艺、化物半导体、分子束外延、质量、材料特性、汽相外延、单晶薄膜、自然界、氢化物、兴趣、器件

分类号：TQ12

在线出版日期：2005-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

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