基于HgCdTe薄膜和GaAs/AlGaAs多量子阱的红外光电探测器列阵

摘要：

@@ 俄罗斯科学院西伯利亚分院半导体物理研究所设计并制作了若干用于3μm～12μm光谱范围的光电探测器组件.这些光电探测器组件都是以用分子束外延方法生长的Hg1-xCdxTe/GaAs异质结构和GaAs/AlGaAs多量子阱结构为基础的,其HgCdTe光敏层长在带CdZnTe中间缓冲层的GaAs衬底上.为了减少表面对复合过程的影响,生长了增加表面组分的渐变带隙HgCdTe层.

机标关键词：薄膜、多量子阱结构、红外、光电、探测器组件、分子束外延、异质结构、西伯利亚、物理研究、渐变带隙、光谱范围、复合过程、表面、科学院、缓冲层、俄罗斯、半导体、组分、制作、设计

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2005-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：28-33,46