碲镉汞光伏探测器机理研究

摘要：

@@ 碲镉汞可以制成光伏型器件和光导型器件.光导器件结构较简单,易于制造,但功耗大,响应速度较慢,为第一代红外探测器件.目前,我所实用的长波光子探测器就是光导型的.光伏器件较之光导器件功耗小,响应快.光伏型碲镉汞器件分为n-on-p型和p-on-n型两种.对长波波段,两者相比,后者比前者有较大的RoA,但由于注入损伤为n型,而且浅结时光电流的输出主要靠衬底,p型时少子扩散长度大,工艺也较简单,因而光伏器件以n-on-p型为多,已经制成(1～)3μm、(3～5)μm的p-n结光电二极管.除非特别指明,以下我们提到的光伏器件就是指n-on-p型.工艺上,在晶体生长中掺锑制造弱p型衬底,锑为五族元素,在晶格中占据碲空位,并提供一个空穴.在p型衬底上进行硼离子注入生成n-on-p结.通过严格控制工艺过程,已经得到性能较好的光伏器件.掺Sb生长的p型衬底与空穴类型的p型衬底相比,其优点在于:Sb分凝系数小,利用杂质分凝效应可获得浓度均匀的材料;避免高温处理;减少与汞空位和其它缺陷相关的深能级,提高少子寿命.

机标关键词：碲镉汞光伏探测器、光伏器件、衬底、光导、少子扩散长度、红外探测器件、光伏型、工艺过程、硼离子注入、光子探测器、光电二极管、注入损伤、制造、响应速度、少子寿命、器件结构、器件功耗、空穴、空位、晶体生长

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2005-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

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