窄禁带半导体光电二极管的最新进展(下)

摘要：

@@ 隧道电流和R0A乘积主要取决于掺杂浓度.图5表示77 K温度工作、一面突变的HgCdTe、PbSnTe、PbSnSe光电二极管(Eg=0.1 eV)的R0A乘积与掺杂浓度的关系.对于HgCdTe和铅盐探测器来说,要想产生高数值的RoA乘积,就分别需要1016 cm-3和1017 cm-3(或略少些)的掺杂浓度.由于要避免产生隧道效应而所能获得的最大掺杂浓度是Ⅳ族光电二极管比HgCdTe光电二极管要高一个数量级[11].这是由于前者的介电常数εs很高,因为隧道效应对RoA乘积的贡献包含着exp[常数m*εs/N)1/2Egl因子,亦即呈现指数增加的关系.

机标关键词：掺杂浓度、光电二极管、隧道效应、乘积的、介电常数ε、隧道电流、探测器、指数、因子、温度、数值、铅盐

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2005-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：26-32