Fe、Ir掺杂单层MoS2的构型及电子结构的第一性原理研究

摘要：

采用密度泛函理论方法对MoS2完整表面、吸附式掺杂和替换掺杂缺陷MoS2表面(Fe-MoS2、Ir-MoS2)的构型、电子结构进行了研究.结果表明:通过比较Fe、Ir原子吸附的吸附能,发现Ir比Fe在表面的吸附性更强,且在Mo原子的上方吸附最强,电子态密度分析说明了在Z方向上,Mo原子的4dyz、4dz2、4dxz轨道与Ir原子的5dyz、5dz2、5dxz态密度峰存在不同程度的混合,特别是dz2轨道之间存在明显混合;Fe、Ir金属原子掺杂替换本征表面MoS2的S、Mo原子的计算结果显示,单层MoS2的S位置更容易被替换形成掺杂体系,S位掺杂体系稳定性强于在Mo位掺杂体系,且电子态密度计算显示掺杂替换S原子后金属Ir有效调控了 MoS2的电子结构,激活了替换原子Ir附近Mo的反应活性.

关键词：MoS2、密度泛函理论、态密度、掺杂

所属期刊栏目：50

分类号：O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：河南省科技攻关项目212102110148

在线出版日期：2022-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：7-13