10.3969/j.issn.1008-7516.2011.01.018
SnO2电子结构及其光学特性的第一性原理计算
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了金红石结构SnO2的电子结构和光学特性.在不同的截断能下优化SnO2晶胞得:Ecut取380 eV最合适,此时a=b=0.490 0 nm,c=0.328 5nm,Eg=1.258 eV.通过分析其复介电函数、反射谱、吸收谱以及损失函数等谱线的峰值,可知这些峰值与电子在价带导带间的跃迁有关.计算的光学特性与能带结构态密度吻合很好,为SnO2在光电领域的设计与应用提供了理论依据.
SnO、第一性原理、电子结构、光子特性
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S562;S338(经济作物)
河南省科技厅基础与前沿102300410128
2011-05-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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