AlInGaN/GaN异质结构材料生长及特性研究

摘要：

AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度和晶格常数的特性,利用这一特性可以实现性能更为出色的异质结构材料.利用MOCVD技术生长获得了AlInGaN/GaN异质结构.通过汞探针C-V测量和Hall效应测量.发现其电学特性明显优于常规AlGaN/GaN异质结构,通过XDR和AFM分析.发现其势垒层结晶质量十分出色,但表面形貌与常规异质结构相比还存在一定差距.

关键词：AlInGaN/GaN、异质结构、材料生长

所属期刊栏目：37

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2010-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：45-47