高压静电场和氮离子复合处理对链霉菌的影响

摘要：

分析了不同剂量氮离子(N+)和高压静电场(HVEF)处理金色链霉菌的存活率和突变率关系,进而确定了最佳处理参数:N+能量10kev·cm-1,注入剂量1.82×1015N+ ions·cm-2、2.86×1015 N+ ions·cm-2,电场剂量(时间、场强)20s×0.5kv·cm-2、60s×2kv·cm-2.用上述优选的HVEF和N+剂量对金色链霉菌进行复合处理,发现在部分复合处理条件下,菌株正变率比使用等剂量N+单因子处理的正变率要高.通过对出发菌株SL2、N+注入选育的高产菌株M226以及N+和HVEF复合处理获得的高产菌株D1114的3种保护酶POD、SOD、CAT的活性进行检测,发现D1114菌株3种酶的活性均最高,其次是M226,说明这3种酶在诱变处理中扮演着重要角色,并且HVEF和低能N+复合处理的效果较N+单一诱变效果要好.

关键词：高压静电场、氮离子、链霉菌、复合处理

所属期刊栏目：28

资助基金：国家自然科学基金项目51267013

在线出版日期：2014-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：702-707