半导体碳纳米管中的高能激子

摘要：

利用单激发组态相互作用（ SCI ）方法，对半导体性单壁碳纳米管的电子结构和光学吸收谱进行理论计算。结果表明，激发碳纳米管得到了由电子空穴对相互束缚而成的激子，除了实验上常观测到的低能激子态之外，在高能处，甚至在连续能带中还出现了激子。部分高能激子来源于类似表面态的激发。

关键词：碳纳米管、组态相互作用、激子、吸收谱

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金面上项目11074077

在线出版日期：2014-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：41-44