SnS 电子结构和光学性质的第一性原理研究

摘要：

基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，建立了SnS超晶胞模型并进行了几何结构优化，对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算．结果显示， SnS是一种直接带隙半导体，计算所得的带隙值0.503 eV低于实验值的1.3 eV．态密度计算表明，SnS是具有一定共价性的离子晶体．当光子能量在0～3.10 eV和大于7.47 eV范围内时，晶体表现为介电性，在3.10～7.47 eV范围内晶体表现为金属性．SnS具有105 cm-1数量级的吸收系数，能强烈地吸收光能．

关键词：SnS、第一性原理计算、电子结构、光学性质

分类号：O482.7(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目11204090;中国博士后科学基金特别资助项目2012T50733;广东省自然科学基金项目S2011010001758;广东省科技计划项目2011B010400022，2012B010400005;广州市科技计划项目11C52090779;广州市珠江科技新星专项2012J2200031;广州市天河区科技计划项目116ZH069;广州市越秀区科技计划项目2012-TP-002

在线出版日期：2014-06-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：42-45