低In组分量子阱垒层AlGaN对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响

摘要：

采用数值分析方法对含有低In组分AlGaN垒层InGaN/GaN混合多量子阱双蓝光波长发光二极管进行模拟分析.结果表明,这种AlGaN量子阱垒层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性及减少电子溢出,实现电子空穴在各个量子阱中的平衡辐射,减弱了双蓝光波长发光二极管的效率衰减.此外,通过改变AlGaN量 子阱垒层的Al组分,调控双蓝光波长发光二极管发射光谱的稳定性:当Al组分为0.08时,双蓝光波长发光二极管的光谱在小电流和大电流下较稳定,而Al组分为0.09时,光谱只在40 ～ 100 mA电流范围内较稳定.

关键词：AlGaN垒层、GaN垒层、双蓝光波长、发光二极管

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分类号：O482.7(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目U1174001;广东省自然科学基金项目S2011010003400;广东省科技计划项目2012B010200032

在线出版日期：2013-07-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：53-58