垒层p型掺杂量的分布对InGaN基发光二极管性能的影响
采用APSYS软件分析了lnGaN基发光二极管的垒层中p型掺杂量的分布及其作用.结果表明,当所有的p型掺杂量集中于最后一个垒层时,发光二极管的发光强度最大,大注入电流下的效率衰减量最小.其主要原因是优化了垒层中p型掺杂量的分布有利于电子限制和空穴注入.
发光二极管、GaN、InGaN、多量子阱
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O482.7(固体物理学)
国家自然科学基金项目51172079;广州市科技攻关项目11A52091257
2013-06-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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