硼掺杂对(2,2)单壁碳纳米管电子结构影响研究

摘要：

基于密度泛函理论的第一性原理,计算了不同B掺杂浓度的单壁碳纳米管(SWCNT)的几何结构、杂质的形成能、能带结构和态密度(DFT),研究了B掺杂对(2,2) SWCNT电子结构的影响.B杂质的引入使SWCNT的管径增大,杂质的形成能为负值,表明(2,2) SWCNT进行掺B的过程为放热反应,B原子以替位形式掺入碳纳米管中是可行的.掺杂B后,SWCNT的费米能级向价带迁移,使(2,2)SWCNT转变为N型半导体.

关键词：B掺杂、单壁碳纳米管、电子结构、第一性原理

所属期刊栏目：45

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目51101062;广州市科技计划项目2011J4100075;福建省自然科学基金项目A0220001

在线出版日期：2013-04-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：51-55