铁电场效应晶体管:原理、材料设计与研究进展

摘要：

系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理,重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能.并介绍了基于FeFET的FeCMOS逻辑电路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和有机半导体的FeFET的最新研究成果.最后对FeFET的未来研究作出展望.

关键词：非易失性存储器、铁电场效应晶体管、闪存、有机半导体、氧化物半导体

所属期刊栏目：44

分类号：O472+.4;TN386.2(半导体物理学)

资助基金：广东省高等学校人才引进专项资金项目

在线出版日期：2013-01-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：1-11