Si图形衬底的制备及半极性GaN生长

摘要：

利用KOH溶液的各向异性腐蚀,通过研究温度、异丙醇(IPA)及超声波振动对Si衬底腐蚀的影响,在Si(001)平面衬底上刻蚀出侧面为(111)面的槽状图形衬底.在此基础上,实现了GaN在Si图形衬底(111)侧面的生长.X射线双晶衍射测量GaN薄膜的Bragg角为18.45°,表明在Si图形衬底上成功生长出了(1-101)半极性GaN薄膜.其X射线衍射峰半高宽为1 556弧秒.

关键词：KOH溶液、各向异性腐蚀、异丙醇、超声波振动、半极性GaN、Si图形衬底

分类号：O59(应用物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目50602018;广东省自然科学基金项目06025083

在线出版日期：2011-03-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：60-63