SiO2薄膜热应力模拟计算

摘要：

薄膜内应力严重影响薄膜在实际中的应用.该文采用有限元模型对SiO2薄膜热应力进行模拟计算,验证了模型的准确性.计算了薄膜热应力的大小和分布,分析了不同镀膜温度、不同膜厚和不同基底厚度生长环境下热应力的大小,得到了相应的变化趋势图, 对薄膜现实生长具有一定的指导意义.

关键词：热应力、SiO2薄膜、有限元、模拟

分类号：O414(理论物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目10575039

在线出版日期：2009-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：52-55