离子源辅助法制备TiN及等离子体特性研究

摘要：

采用TCP等离子体辅助电子束蒸发沉积技术,在室温条件下的玻璃基片上制备了纳米结构的氮化钛薄膜. 运用X衍射技术对该薄膜进行表征. 利用朗缪尔静电双探针诊断了蒸发镀膜装置反应室内等离子体密度及分析其分布规律,并分析了气压和功率对等离子体分布的影响. 结果表明:离子源源口等离子体密度较大且分布不均匀;反应室内等离子体迅速扩散,密度变小且分布趋于均匀.

关键词：氮化钛、顶部感应耦合等离子体源、朗缪尔双探针、电子束蒸发镀膜

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10575039;广东省自然科学基金05100534;教育部高等学校博士学科点专项科研基金[2004]165

在线出版日期：2006-11-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：59-64