10.3969/j.issn.1000-5463.2004.04.012
直管式反应室感应耦合等离子体技术制备氮化硅薄膜研究
采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜,并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱,结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si-N键,而且由于杂质氢的存在而含有Si-H键和N-H键.用朗缪尔单探针测试了直管式反应室中的等离子体参数,得到离子密度Ni在反应室内轴向以及径向位置的变化规律, 弄清了离子密度Ni分布比较均匀的区域,分析了离子密度Ni分布的均匀性对等离子体干法刻蚀和薄膜制备的影响和意义.
ICPECVD、氮化硅、薄膜
O434.14(光学)
广东省自然科学基金000675;广东省科技攻关项目ZKM01401G;广东省高教厅科研项目0123
2004-12-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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