10.3969/j.issn.1000-5463.2004.02.011
MOCVD生长GaN的表面形貌及缺陷研究
采用自制MOCVD和Thomas SwanMOCVD以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究.利用光学显微镜获得了GaN外延膜表面形貌随Si、Mg掺杂量不同的变化规律以及表面缺陷等信息.研究表明,随掺Si量增大,GaN外延膜的表面变粗糙,结晶品质下降.在电子浓度达2×1019cm-3以上时,GaN外延膜表面出现龟裂.对GaN进行Mg掺杂,外延膜表面出现岛状突起,且随Mg掺杂量增大,岛状突起数目增多.观察到了MOCVD生长的GaN的六角状岛、龟裂、条状缺陷等典型缺陷.
GaN、MOCVD、光学显微镜、表面形貌、缺陷
TN304.2+3(半导体技术)
国家科技攻关项目00-068;华南师范大学校科研和教改项目660119
2004-07-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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