取代芳烃化合物电子结构与其对发光菌毒性关系的研究

摘要：

应用量子化学半经验的MNDO方法计算了40个取代芳烃化合物的电子结构,探讨了化合物电子结构与其对发光菌毒性的关系.结果表明:(1)当化合物的分子极化度P、分子体积V、疏水参数logP较大时具有较大的水溶性和脂溶性,因而化合物的毒性较大;(2)当最高占据轨道(HOMO)能级和最低空轨道(LUMO)能级较低时,化合物容易接受电子具有较大的氧化性,取代芳烃的毒性也随之增大;(3)取代基的吸电子能力越强,吸电子基个数越多,苯环的正电性越大,化合物的毒性越大.得到的QSAR方程为:-logEC50=-2.230+0.202P-0.366EHOMO,据此可预测取代芳烃化合物对发光细菌的毒性.

关键词：取代芳烃化合物、毒性、定量构效关系(QSAR)、间略微分重迭(MNDO)量子化学方法

分类号：O621.14.29(有机化学)

在线出版日期：2003-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：97-101,107