P型掺杂对AlGaInP双异质结发光二极管的Al组分确定的影响

摘要：

在双异质结发光二极管(DH-LED)实际材料生长过程中,它的限制层的Al组分的确定有较大的随意性. 在不同的P型掺杂程度下,通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了限制层Al组分分别对应确定为一个最合适的取值,此时有源层中的载流子应有一个最大数量的复合, LED的复合效率最高. 从而可以探索P型掺杂对限制层Al组分确定的影响的规律,并得到一个较合适的掺杂浓度. 这对于器件结构设计以及相关的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)材料生长有一定的指导意义.

关键词：AlGaInP、发光二极管(LED)、Al组分、掺杂

分类号：TN209(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家科技攻关项目00-068

在线出版日期：2003-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：64-68,79