GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱结构的光荧光特性分析

摘要：

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ＝647.8 nm和λ＝861.6 nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰. 理论计算和实测结果基本一致.

关键词：发光二极管(LED)、GaInP/(AlxGa1-x)InP、多量子阱、光荧光

分类号：TN209;TN248(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家科技攻关项目00-068

在线出版日期：2003-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：60-63