10.3969/j.issn.1000-5463.2001.03.006
垂直腔面发射激光器的原理与设计
阐述了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的工作原理及器件的设计方案. 并设计出激射波长为980 nm,InGaAs/GaAs多量子阱作为发光材料,氧化物限制电流,衬底面出光的基横模低阈值的器件结构.
半导体激光器、面发射激光器、InGaAs、氧化物、DBR
TN209;TN305.055(光电子技术、激光技术)
国家科技攻关项目00-068
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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