焊料Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO2基板低温活性焊接机理

摘要：

采用扫描电镜、能谱仪和透射电镜研究了Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)低温活性焊接SiO2基板界面的微观形貌和焊接机理,并根据反应热力学和活性元素的吸附理论分析了Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO2基板的焊接机理及焊接动力学过程.实验结果表明,焊接界面由TiSi和TiO2形成.理论分析与实验结果一致表明:Ti元素在SiO2基板表面的化学吸附可能是实现焊接润湿的主要原因,在焊接的初始阶段发挥重要的作用;Ti与SiO2之间的界面反应并形成界面产物是实现Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO2基板焊接的主要机理.

关键词：低温、活性焊接、界面产物、活性元素

所属期刊栏目：44

分类号：TG425(焊接、金属切割及金属粘接)

资助基金：广东省科技计划项目2013B010403003Supported by the Science and Technology Planning Project of Guangdong Province 2013B010403003

在线出版日期：2017-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：67-72