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10.3969/j.issn.1000-565X.2015.03.015

低温溶液加工法制备氧化锌薄膜晶体管

引用
为适应柔性有源有矩阵有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,将低温溶液处理的氧化锌作为半导体层、电化学氧化的氧化铝钕作为栅绝缘层,制备了氧化锌薄膜晶体管(TFT).制备氧化锌半导体层所用的前驱体溶液为无碳的 Zn(OH)x-(NH3)y(2-x)+水溶液,这种氨络合物溶液制备简单、成本低,并且由于容易形成高活性的氢氧自由基,使得氨-金属之间的分解所需要的活化能较低,生成氧化锌所需的能量较小,可以在180℃的较低温度下获得氧化锌多晶薄膜.所制备的 TFT 器件的最高迁移率可达0.9 cm2/(V·s).这种低温氧化锌薄膜工艺与室温电化学氧化的栅绝缘层工艺相结合,具有温度低和迁移率高的特点,完全能与柔性衬底兼容,在柔性显示中具有很大的应用前景.

薄膜晶体管、氧化锌、低温溶液加工

TN141(真空电子技术)

国家“863”计划项目2014AA032702;国家自然科学基金资助项目61204087,51173049,61306099;广州市珠江科技新星项目2014J2200053;华南理工大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目2014ZM0003,2014ZZ0028

2015-08-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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