硅压力传感器基座受力变形时的输出性能

摘要：

为分析硅压力传感器基座受力变形对传感器输出性能的影响，首先利用弹性力学理论和板壳理论分析推导了压力传感器方形膜片应力分布，为力敏电阻在应变膜上的布置提供依据；再利用 ANSYS 进行分析模拟，探究了传感器基座结构变形对应变膜应力差的影响；然后针对减小基座受力变形对芯片受力的影响，对基座结构进行适当优化，并对比仿真分析的结果；最后通过实验测得优化前后的传感器输出数据．结果表明，传感器基座结构优化后，传感器硅芯片中心最大变形量从2．172μm 降低到1．819μm，输出误差从0．95％下降到0．60％．

关键词：压力传感器、硅传感器、输出性能、有限元分析、结构优化

分类号：TH86

资助基金：国家“863”高技术计划项目2014AA042000

在线出版日期：2015-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1-8,129