有源层厚度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响

摘要：

为优化氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)的工艺参数,采用射频磁控溅射法沉积ZnO薄膜制备出不同有源层厚度的ZnO-TFT器件,探讨了有源层厚度对ZnO-TFT电学性能的影响.实验结果表明:有源层厚度在65 nm附近时,ZnO-TFT器件的性能最好;有源层太薄时,ZnO薄膜的结晶性差,薄膜内部存在大量孔洞和缺陷,从而导致ZnO-TFT器件的载流子迁移率较低,开关电流比较小;有源层太厚(大于65 nm)时,ZnO-TFT的载流子迁移率和开关电流比随有源层厚度的增加而减小,这是因为随着有源层厚度的增加,载流子在源、漏电极附近高电阻区的导电路径增加.

关键词：薄膜晶体管、氧化锌、有源层厚度、电学性能

所属期刊栏目：41

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61076113

在线出版日期：2013-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：23-27,94