基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型

摘要：

基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多晶硅薄膜晶体管的直流漏电流模型.该模型采用单一的解析方程描述多晶硅TFT各工作区的电流.研究结果表明:TFT工作于线性区且栅压一定时,随着漏压的增大,沟道有效迁移率降低；随着栅压的增大或沟道的缩短,漏电压对沟道有效迁移率的影响减弱.

关键词：多晶硅、薄膜晶体管、电流模型、离散晶界、表面势、有效迁移率

所属期刊栏目：40

分类号：TP321(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60776020;国际合作项目B14D8061610;华南理工大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目x2clD2104790

在线出版日期：2012-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：64-68,125