多晶硅薄膜晶体管的泄漏电流和噪声模型

摘要：

为了建立适用于电路仿真器的泄漏区模型,通过泄漏电流、激活能和低频噪声等研究了多晶硅薄膜晶体管的泄漏产生机制.在不同的电场条件下,基于不同的泄漏产生机制,提出了产生-复合率的分区近似计算模型,并统一成适用于1×106～5×108V/m电场范围的泄漏电流模型.同时,建立了中低电场区的激活能模型和泄漏区低频噪声紧凑模型.将模型仿真结果与实验数据进行了比较,证明了所建立模型的有效性,且模型适用于电路仿真器.

关键词：多晶硅、薄膜晶体管、泄漏电流、激活能、低频噪声模型

所属期刊栏目：38

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：广东省教育部产学研结合项目2008A090400011

在线出版日期：2011-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：24-29,35