聚3-己基噻吩聚合物薄膜晶体管的稳定性

摘要：

为提高聚合物薄膜晶体管的稳定性,以单晶硅为衬底,二氧化硅为栅介质层,聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜为半导体活性层,金属Au为源、漏电极,制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT),对该器件的电特性进行了表征,研究了该器件在空气环境下的稳定性,并对该器件在空气中的不稳定性机理进行了讨论.结果表明:当器件暴露在空气中时,随着暴露时间的增加,器件的饱和漏电流明显增大,阈值电压逐渐增加;空气中的水是影响器件特性的主要因素;通过采用光刻胶钝化处理可以有效地改善P3HT-PTFT器件在空气中的稳定性,并使器件的载流子迁移率提高3倍.

关键词：薄膜晶体管、聚3-己基噻吩、稳定性、钝化

所属期刊栏目：38

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：广东省自然科学基金博士启动项目8451064101000257

在线出版日期：2010-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：65-70