多晶硅薄膜晶体管的电流和电容分析模型

摘要：

提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型.电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的,不需要没有物理意义的光滑处理.与实验数据的比较发现,模型和实验数据符合得较好,这也证明了所提出模型的准确性.并且,该模型适用于电路仿真器.

关键词：多晶硅薄膜晶体管、表面势、电流模型、电容模型

所属期刊栏目：35

分类号：TN321(半导体技术)

资助基金：Cadence Design Systems, Inc

在线出版日期：2008-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：221-226